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四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研真題資料是由在校研究生學(xué)長學(xué)姐悉心收集整理的考研資料，能幫助報(bào)考相關(guān)專業(yè)的考生更有效的提高考研專業(yè)課復(fù)習(xí)效率，了解本專業(yè)考研題型、考研重點(diǎn)、考研難度等，做到輕車熟路，勝券在握。
ps：考研真題是考研備考必備資料，比看幾本厚厚的復(fù)習(xí)書更有效。
適用專業(yè)：
等離子體物理、微電子學(xué)與固體電子學(xué)等等
參考書目：
官網(wǎng)暫未公布，考生可參照招生簡章（資料不包含參考書目哦）
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一、四川大學(xué)考研真題：《934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研真題》：2011 2013 2014 2015 2016
（真題是考研必備的資料，歷年考題的重復(fù)度極高，做歷年考研真題，能讓你掌握知識點(diǎn)的重要部分，根據(jù)真題，可以分析最近幾年的的出題趨勢，考題類型，重點(diǎn)難點(diǎn)、甚至重題等。因?yàn)樗拇ù髮W(xué)真題重復(fù)率極高，故學(xué)校從15年后封題，以上真題彌足珍貴）
二、四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研資料：1、半導(dǎo)體物理與器件復(fù)習(xí)資料：
（1）《四川大學(xué)《半導(dǎo)體物理與器件》教學(xué)大綱》 3頁 （本資料為川大內(nèi)部教學(xué)大綱，劃出書本重難點(diǎn)，節(jié)省考生復(fù)習(xí)時(shí)間）
（2）《四川大學(xué)《半導(dǎo)體物理與器件》課后小結(jié)與重要術(shù)語解釋》 13頁 （本資料按章節(jié)整理，條理清晰，內(nèi)容全面，適合考生復(fù)習(xí)）
（3）《四川大學(xué)半導(dǎo)體內(nèi)部講義》 38頁 （本資料為考研內(nèi)部講義ppt，適合考生進(jìn)行復(fù)習(xí)整理）
（4）《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理(劉恩科)詳細(xì)歸納總結(jié)》 24頁 （本資料分章節(jié)給出各章的習(xí)題以及答案，方便考生進(jìn)行練手）
（5）《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理本科試卷》3頁 （本資料為川大內(nèi)部本科期末試卷，與考研題型相似，含金量高）
（6）《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理內(nèi)部筆記》 28頁 （本資料為手寫筆記，方便考生進(jìn)行復(fù)習(xí)和整理）
（7）《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科)第六、七版一到八章課后題答案》 49頁 （本資料為上課課本課后習(xí)題的答案，全面詳盡，考生可結(jié)合課本一起復(fù)習(xí)）
2、VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料：
（1）《四川大學(xué)VLSI_復(fù)習(xí)題與思考題》 25頁（本資料給出各章的思考題，均為?？碱}，適合考生復(fù)習(xí)）
（1）《四川大學(xué)VLSI_復(fù)習(xí)題與思考題》 25頁（本資料給出各章的思考題，均為?？碱}，適合考生復(fù)習(xí)）
（2）《四川大學(xué)VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料》13頁（本資料共給出30個(gè)復(fù)習(xí)題，含金量很高，考生應(yīng)予以重視）
3、微電子復(fù)習(xí)資料：
3、微電子復(fù)習(xí)資料：
（1）《四川大學(xué)微電子工程學(xué)復(fù)習(xí)題》 10頁（本資料分章節(jié)整理，為每章重點(diǎn)復(fù)習(xí)題，方便考生進(jìn)行練手）
（2）《四川大學(xué)微電子復(fù)習(xí)總結(jié)修訂版》 4頁 （本資料分章節(jié)整理出各章的名詞解釋，方便考生進(jìn)行記憶和整理）
（3）《四川大學(xué)微電子學(xué)概論復(fù)習(xí)題及答案(詳細(xì)版)》 20頁（本資料分章節(jié)給出重點(diǎn)問題，含金量十分高，節(jié)省復(fù)習(xí)時(shí)間）
三、四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研贈(zèng)送電子版資料：
三、四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研贈(zèng)送電子版資料：
（1）《半導(dǎo)體物理_(劉恩科_教材版本)》
（2）《半導(dǎo)體物理_復(fù)習(xí)(劉恩科)》
（3）《半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》
（4）《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)課程復(fù)習(xí)》
（5）《微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)(1+2)》
（6）《微電子制造概論-考試復(fù)習(xí)提綱》
資料使用說明：
1、考研真題極為寶貴，希望你能夠在所有知識點(diǎn)都復(fù)習(xí)全面后，再用它來做正式的模擬。做真題時(shí)要注意計(jì)時(shí)，第一遍時(shí)間緊張沒關(guān)系，分析這個(gè)題目的考點(diǎn)在哪里然后深入記憶，將考點(diǎn)弄懂并標(biāo)記。第二遍，依舊按照考試時(shí)間來，重點(diǎn)在那些有標(biāo)記的題，還不會(huì)的繼續(xù)標(biāo)記，再次強(qiáng)化這個(gè)知識點(diǎn)。做真題一定要分析考點(diǎn)，重點(diǎn)復(fù)習(xí)自己薄弱的考點(diǎn)。
2、筆記更多的是輔助，最根本的是要理解課本，理解考點(diǎn)。筆記要結(jié)合使用，不能完全依賴筆記。
溫馨小貼士：十月份和十一月份，是最關(guān)鍵的兩個(gè)月，此時(shí)生活要簡單規(guī)律，適當(dāng)鍛煉（切忌生病），集中精力，堅(jiān)持到最后。
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