?個人簡介
姓名：雷娜
性別：女
職稱：副教授
通信地址：IRC樓423
聯(lián)系電話：010-82339489
郵箱：na.lei@buaa.edu.cn

?教育背景
雷娜，博士，2008年復旦大學物理系畢業(yè)，獲得凝聚態(tài)物理專業(yè)博士學位。2008年9月至2013年1月在法國巴黎第十一大學基礎電子研究所做博士后， 2013年3月至2014年5月在復旦大學物理系做博士后研究員。2013年12月入選北航“卓越百人計劃”， 并于2014年6月正式加入北航電子信息工程學院。

?主要研究領域
研究領域主要包括: 納米磁學、分子束外延和自旋電子學
在金屬薄膜的分子束外延,和氧化物的激光分子束外延,以及自旋電子學器件制備方面有著豐富的經(jīng)驗。她曾長期研究磁性薄膜的外延制備和磁性表征、調(diào)控,近年來側(cè)重基于鐵電材料和錳氧化物的自旋電子學器件開發(fā)。雷娜在Nature Comm., PRL, PRB, APL等國外核心期刊發(fā)表多篇學術(shù)論文, 其中電場應力調(diào)控疇壁運動的工作發(fā)表在Nature Communication上, 該工作獲得國際同行的廣泛贊賞,文章從發(fā)表到現(xiàn)在一年多的SCI引用已經(jīng)多達20次。 雷娜被邀請在國際學術(shù)會議ISSAMA做邀請報告,并多次參加MMM等國際會議， 也受邀成為APL、EPJAP等國際學術(shù)刊物的審稿人。

?正在研究項目
當前自旋電子學中，最大的挑戰(zhàn)就是如何提高器件的集成度，同時降低其功耗。
我們將在低功耗磁存儲及磁邏輯器件方面開展工作，，包括：
1.電壓調(diào)控MRAM
在磁隨機存儲器(MRAM)中，信息的寫入是通過磁化層磁矩的翻轉(zhuǎn)實現(xiàn)。在第一代MRAM中，直接通過電流產(chǎn)生的磁場來實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)，不便于集成和降低功耗；第二代STT-MRAM中，通過電流的自旋傳輸矩(STT)效應來翻轉(zhuǎn)磁矩，可以降低器件的尺寸，但其功耗仍高于實際應用需求。
2.基于拓撲絕緣體界面自旋軌道效應致磁翻轉(zhuǎn)。
拓撲絕緣體作為一種新型的量子材料，具有很多新奇的性質(zhì)，是自旋電子學中最具潛力的材料。如下圖所示(a)所示，拓撲表面電子態(tài)中電子自旋和動量相互鎖定，在動量空間中，具有不同動量的電子其自旋被鎖定在相應的方向上。當電流在拓撲絕緣體中通過，電子具有沿電流方向的額外動量，其自旋鎖定在垂直于電流的方向上并產(chǎn)生自旋積累。在如圖(b)所示的拓撲絕緣體/MTJ器件中，界面的自旋積累形成對MTJ的自旋注入，并最終使得MTJ中自由磁性層磁矩的翻轉(zhuǎn)。通過利用拓撲絕緣體的這一量子特性，電流到自旋流的轉(zhuǎn)化效率相對于傳統(tǒng)的自旋霍爾效應提高了10倍以上，可以極大的降低磁矩翻轉(zhuǎn)所需要的臨界電流和功耗。

?最近發(fā)表論著
[1]. Strain-controlled magnetic domain wall propagation in hybrid piezoelectric/ferromagnetic structures
N. Lei*, T. Devolder, G. Agnus, P. Aubert, L. Daniel, J-V. Kim, W. Zhao, T. Trypiniotis, R.P. Cowburn, C. Chappert, D. Ravelosona and P. Lecoeur, Nature Comm. 4, 1378 (2013).
[2]. Magnetization reversal assisted by the inverse piezoelectric effect in Co-Fe-B/ferroelectric multilayers
N. Lei*, S. Park, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, C. Chappert, O. Stelmakhovych and V. Holy, Phys. Rev. B? 84, 012404? (2011).
[3]. Magnetic anisotropy tuned by interfacial engineering
N. Lei, D. H. Wei, C. S. Tian, S. H. Xiao, D. Z. Hou, L. H. Zhou, and X. F. Jin*, Appl. Phys. Lett. 95, 192506? (2009).
[4].Capping effects of Au on Fe/GaAs(001) studied by magneto-optical Kerr effect
N. Lei, Y. Tian, C. S. Tian, L. H. Zhou, L. F. Yin, G. S. Dong and X. F. Jin, Thin Solid Films? 515, 7290 (2007).
[5].Perpendicular magnetic anisotropy in piezoelectric- and dielectric–ferromagnetic heterostructures based on Co/Pt multilayers
W. Lin*, N. Lei, N. Vernier, G. Agnus, J.P. Adam, S. Eimer, T. Devolder, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, Thin Solid Films 533, 70 (2013).
[6].Voltage control of magnetism in ferromagnetic structures
L. H. Diez*, W. Lin, A.B. Mantel, L. Ranno, D. Givord, L. Vila, P. Warin, A. Marty, N. Lei, T. Devolder, J.V. Kim, N. Vernier, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, Proc. SPIE 8461, Spintronics V, 84610Y (2012).
[7].Morphology of monolayer CuxAu1?x on Cu(001)
L. H. Zhou, C. S. Tian, N. Lei, G. S. Dong and X. F. Jin*, J. Phys.: Condens. Matter 22 395007 (2010).
[8].Magnetocrystalline Anisotropy in Permalloy Revisited
L. F. Yin, D. H. Wei, N. Lei, L. H. Zhou, C. S. Tian, G. S. Dong, X. F. Jin*, L. P. Guo, Q. J. Jia, and R. Q. Wu, Phys. Rev. Lett. 97, 067203 (2006).