2021湖南理工學(xué)院模擬電子技術(shù)研究生考試大綱 正文

2021年碩士研究生入學(xué)考試自命題考試大綱（加試）
 
考試科目代碼:[ J220 ]         
考試科目名稱:模擬電子技術(shù)
一、考核目標(biāo)
（一）考查考生對模擬電子技術(shù)的基本概念，基本電路的原理、分析方法和設(shè)計思路的掌握程度。
（二）考查考生綜合運用模擬電子技術(shù)知識解決問題的能力。
二、試卷結(jié)構(gòu)
（一）考試時間：120分鐘，滿分：100分
（二）題型結(jié)構(gòu)
1、選擇題：20小題，每小題2分，共20分
2、填空題：10小題，每小題2分，共20分
3、分析與問答題：2小題，共16分。
4、計算與綜合題：4小題，共44分
三、 答題方式
答題方式為閉卷 筆試
四、考試內(nèi)容
1、運算放大器
考試內(nèi)容：信號及其描述；放大電路模型與主要性能指標(biāo)；理想運放，虛短、虛斷；同相、反相放大電路及應(yīng)用。
考試要求：
（1）掌握信號源的戴維南和諾頓等效電路。
（2）了解信號的時域與頻域描述方法。
（3）掌握放大電路模型及主要性能指標(biāo)（增益、輸入阻抗、輸出阻抗、上下限截止頻率）概念與計算方法。
（4）了解頻率失真、線性失真、非線性失真的差異。
（5）掌握利用“虛短”和“虛斷”概念分析運算電路的方法。
（6）掌握利用理想運放構(gòu)成同相放大、反相放大、求差、求和、積分、微分電路的方法。
2、二極管及應(yīng)用
考試內(nèi)容：半導(dǎo)體基礎(chǔ)、PN結(jié)、二極管。
考試要求：
（1）了解本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體和PN結(jié)的形成。
（2）熟悉漂移、擴(kuò)散，耗盡層、空間電荷區(qū)等概念；了解PN結(jié)基本特性。
（3）熟練掌握二極管理想模型、恒壓降模型、小信號模型，并能進(jìn)行二極管電路的分析與計算。
（4）掌握穩(wěn)壓二極管伏安特性、等效電路及應(yīng)用。
3、雙極結(jié)型三極管及放大電路
考試內(nèi)容：BJT；BJT的V-I特性曲線；靜態(tài)工作點及其穩(wěn)定；H參數(shù)小信號模型；BJT放大電路（包括組合放大）；放大電路頻率響應(yīng)。
考試要求：
（1）了解BJT結(jié)構(gòu)、符號表示、工作原理及電流分配關(guān)系。
（2）了解BJT的V-I特性曲線，三個工作區(qū)域條件與特點。
（3）熟練畫出放大電路的直流通路、交流通路、小信號等效電路。
（4）掌握圖解法分析失真情況。
（5）掌握BJT放大電路靜態(tài)工作點，動態(tài)工作參數(shù)的計算方法。
（6）了解溫度對靜態(tài)工作點的影響，掌握射極偏置電路穩(wěn)定靜態(tài)工作點。
（7）掌握BJT各種組態(tài)放大電路的特點。
（8）掌握兩級放大電路的交直流等效電路的分析與計算。
（9）了解BJT高頻小信號模型，共射放大電路的頻率響應(yīng)分析方法。
（10）掌握波特圖的繪制方法，根據(jù)波特圖確定上、下限頻率，中頻電壓增益等參數(shù)。
4、場效應(yīng)管放大電路
考試內(nèi)容：MOSFET、JFET及其放大電路。
考試要求：
（1）了解MOSFET、JFET的結(jié)構(gòu)、符號表示以及工作原理，輸出特性，轉(zhuǎn)移特性。
（2）掌握導(dǎo)電溝道概念、溝道調(diào)制效應(yīng)以及場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域條件。
（3）掌握MOSFET主要參數(shù)（直流參數(shù)、交流參數(shù)）及其意義。
（4）掌握場效應(yīng)管構(gòu)成的各種組態(tài)的放大電路的靜態(tài)工作點計算、利用低頻小信號模型分析與計算動態(tài)性能指標(biāo)。
（5）理解各種組態(tài)放大電路在放大倍數(shù)、輸入輸出阻抗、帶寬等性能特性。
5、模擬集成電路
考試內(nèi)容：電流源電路、差分放大電路、集成運放的主要參數(shù)。
考試要求：
（1）掌握典型電流源電路的分析：鏡像電流源、微電流源和多路電流源等。
（2）掌握差分式放大電路結(jié)構(gòu)、差模信號、共模信號概念。
（3）掌握四種接法射極耦合差分式放大電路主要技術(shù)指標(biāo)的計算。
（4）理解共模抑制比的概念及其計算。
（5）了解集成運放的主要參數(shù)（差模增益、共模抑制比、輸入失調(diào)電壓電流、轉(zhuǎn)換速率等）。
（6）了解放大電路中噪聲種類；掌握電阻熱噪聲特點，噪聲系數(shù)概念。
 
6、反饋放大電路
考試內(nèi)容：反饋的基本概念和分類、負(fù)反饋放大電路的四種組態(tài)、負(fù)反饋對放大電路性能的影響、深度負(fù)反饋放大電路的近似計算、負(fù)反饋放大電路的自激振蕩及穩(wěn)定工作條件。
考試要求：
（1）掌握與理解開環(huán)與閉環(huán)、正反饋與負(fù)反饋、直流反饋與交流反饋、電壓反饋與電流反饋、串聯(lián)反饋與并聯(lián)反饋等概念。
（2）掌握瞬時極性法判斷正、負(fù)反饋。
（3）掌握四種負(fù)反饋電路組態(tài)的判斷。
（4）掌握深度負(fù)反饋條件下放大電路電壓增益、輸入、輸出電阻的計算。
（5）理解負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)在不同組態(tài)下的物理意義。
（6）掌握負(fù)反饋對放大電路性能的影響。
（7）了解負(fù)反饋放大電路自激振蕩及穩(wěn)定工作條件，穩(wěn)定裕度的計算方法。
7、功率放大電路
考試內(nèi)容：功率放大電路特點、乙類、甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路。
考試要求：
（1）了解功率放大電路特點。
（2）掌握交越失真概念。
（3）掌握乙類、甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路的性能分析及功率BJT選型。
8、信號處理與信號產(chǎn)生電路
考試內(nèi)容：有源濾波電路，正弦波振蕩電路、電壓比較器。
考試要求：
（1）掌握有源濾波電路組成、特點及分析方法。
（2）掌握正弦波振蕩電路的起振與平衡條件。
（3）掌握RC和LC正弦波振蕩電路組成、工作原理與典型電路計算。
（4）掌握單限、遲滯比較器的電路組成、工作原理和技術(shù)指標(biāo)計算。
9、直流穩(wěn)壓電源
考試內(nèi)容：直流穩(wěn)壓電源組成、單相橋式整流濾波電路、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路、三端集成穩(wěn)壓器。
考試要求：
（1）了解直流穩(wěn)壓電源組成及各部分作用。
（2）掌握單相橋式整流濾波電路工作原理，性能指標(biāo)、器件選型參數(shù)計算。
（3）掌握串聯(lián)反饋穩(wěn)壓電路組成、穩(wěn)壓原理，計算輸出電壓、調(diào)整管極限參數(shù)。
（4）掌握常用三端集成穩(wěn)壓器芯片（78XX,79XX，LM317）的典型應(yīng)用。
五、主要參考書目
康華光　主編：《電子技術(shù)基礎(chǔ)—模擬部分（第五版）》，高等教育出版社，2006年版。
 

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本文來源：http://m.zgxindalu.cn/hnist/cankaoshumu_409196.html