西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)碩士點(diǎn)簡(jiǎn)介

發(fā)布時(shí)間:2020-06-11 編輯:考研派小莉 推薦訪問(wèn):
西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)碩士點(diǎn)簡(jiǎn)介

西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)碩士點(diǎn)簡(jiǎn)介內(nèi)容如下,更多考研資訊請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站的更新!敬請(qǐng)收藏本站,或下載我們的考研派APP和考研派微信公眾號(hào)(里面有非常多的免費(fèi)考研資源可以領(lǐng)取,有各種考研問(wèn)題,也可直接加我們網(wǎng)站上的研究生學(xué)姐微信,全程免費(fèi)答疑,助各位考研一臂之力,爭(zhēng)取早日考上理想中的研究生院校。)

西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)碩士點(diǎn)簡(jiǎn)介 正文

西安理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科始建于1972年,是我校最早設(shè)立的重點(diǎn)學(xué)科之一。1973年開始本科招生,1990年獲得首個(gè)二級(jí)學(xué)科碩士點(diǎn),2000年獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)二級(jí)學(xué)科博士學(xué)位授予權(quán),2007年獲批設(shè)立一級(jí)學(xué)科博士后流動(dòng)站,2009年依托該學(xué)科的電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)獲批為“國(guó)家特色專業(yè)”。2011年獲批電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)。2016年依托該學(xué)科的電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)獲批為陜西省“一流專業(yè)”。先后獲批全國(guó)示范性全日制工程碩士專業(yè)學(xué)位研究生聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地、陜西省軍民兩用集成電路設(shè)計(jì)中心、陜西省新型半導(dǎo)體功能材料與設(shè)備工程研究中心、陜西省實(shí)驗(yàn)教學(xué)示范中心、陜西省教學(xué)團(tuán)隊(duì)、陜西省人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)區(qū)、陜西省研究生聯(lián)合培養(yǎng)示范工作站、功率半導(dǎo)體器件及設(shè)備研究生聯(lián)合培養(yǎng)工作站、中省共建教學(xué)實(shí)踐基地、新型電力電子器件與功率集成研究中心、西安理工大學(xué)先進(jìn)導(dǎo)航與電磁技術(shù)研究所,并于2017年成立郝躍院士工作室。
本學(xué)科經(jīng)過(guò)多年科研與教學(xué)實(shí)踐,已形成了寬禁帶半導(dǎo)體材料與新型電力半導(dǎo)體器件、集成電路設(shè)計(jì)、光電子器件與技術(shù)、電磁理論與數(shù)值計(jì)算等四個(gè)穩(wěn)定且具特色的研究方向。
(1)寬禁帶半導(dǎo)體材料與新型電力半導(dǎo)體器件
本方向針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料,立足于工程實(shí)踐,與“西安電力電子技術(shù)研究所”等多家企事業(yè)單位緊密結(jié)合,在行業(yè)的地位不斷提升。研發(fā)出6-8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備及其生長(zhǎng)工藝;針對(duì)硅基超結(jié)功率MOS、高壓FSRD、IGBT及IGCT等新器件,提出了若干具有創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)。本方向獲批國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家“十一五”研究計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目等10余項(xiàng);獲陜西高等學(xué)校科學(xué)技術(shù)壹等獎(jiǎng)、陜西省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步貳等獎(jiǎng)各1項(xiàng)。發(fā)表研究論文70余篇,其中SCI收錄8篇,EI收錄35篇,出版著作3部,授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利12項(xiàng)。
(2)集成電路設(shè)計(jì)
本方向主要圍繞專用集成電ASIC設(shè)計(jì)方法在生物醫(yī)電領(lǐng)域的應(yīng)用研究、三維集成電路設(shè)計(jì)和高集成度大功率IGBT IPM設(shè)計(jì)方向開展工作。生物醫(yī)電領(lǐng)域方面,在片上微流控細(xì)胞檢測(cè)儀和視覺(jué)假體上獲得了若干原創(chuàng)性成果;率先提出了基于數(shù)字測(cè)試方法的三維集成電路產(chǎn)業(yè)化測(cè)試方案;提出了高集成度智能IGBT IPM設(shè)計(jì)方案,達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。本方向獲批國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目5項(xiàng),授權(quán)發(fā)明專利12項(xiàng),獲省部級(jí)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和二等獎(jiǎng)各1項(xiàng)。
(3)光電子器件與技術(shù)。
本方向開展用光電導(dǎo)方法產(chǎn)生THz電磁脈沖及輻射的方法與機(jī)理研究、開展半導(dǎo)體光電子器件、超快光電導(dǎo)開關(guān)材料和器件、新型有機(jī)半導(dǎo)體器件、THz探測(cè)器件等新器件結(jié)構(gòu)、制作工藝等研究工作。與“美國(guó)Rensselaer Polytechnic Institute太赫茲研究中心”、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所等多個(gè)研究中心及大學(xué)合作,得到了國(guó)內(nèi)外同行專家的好評(píng)及認(rèn)可。本方向獲批國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目等共20余項(xiàng)。發(fā)表研究論文100余篇,SCI和EI收錄近100篇。授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利10多項(xiàng)。
(4)電磁理論與數(shù)值計(jì)算
本方向主要圍繞電磁理論、數(shù)值計(jì)算及并行計(jì)算、電磁參數(shù)診斷等技術(shù)及相關(guān)應(yīng)用開展研究工作。率先將FDTD方法應(yīng)用于預(yù)測(cè)再入等離子鞘套中的電波傳播特性和低頻地波傳播預(yù)測(cè),解決了計(jì)算速度與計(jì)算精度之間的矛盾;首次構(gòu)建了“實(shí)測(cè)+正演計(jì)算+反演優(yōu)化”的大地電導(dǎo)率反演架構(gòu);提出了“等效球形粒子+強(qiáng)擾動(dòng)理論”、“低頻初值+色散特性”的多針狀晶須吸收劑和蜂窩吸波結(jié)構(gòu)等效電磁計(jì)算方法,提高了計(jì)算精度。本方向獲批國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目3項(xiàng),國(guó)家863軍口項(xiàng)目5項(xiàng),中國(guó)博士后科學(xué)基金5項(xiàng),總裝預(yù)研項(xiàng)目4項(xiàng),授權(quán)發(fā)明專利10余項(xiàng)。
本學(xué)科在重要學(xué)術(shù)研究方向上具有較高的影響力,是國(guó)內(nèi)最早開展功率半導(dǎo)體器件研究的學(xué)科團(tuán)隊(duì)之一。在新型硅功率器件研究領(lǐng)域,以及新型半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備及其生長(zhǎng)技術(shù)研究領(lǐng)域具有較大的影響力,研究成果獲得了國(guó)內(nèi)外同行專家的認(rèn)可。日本東北大學(xué)、東京大學(xué)、德國(guó)GE全球研究院、新加坡微電子研究所和中科院半導(dǎo)體研究所等國(guó)內(nèi)外知名院校和科研單位與本學(xué)科有著長(zhǎng)期的科研項(xiàng)目項(xiàng)目合作。本學(xué)科培養(yǎng)的畢業(yè)生也得到社會(huì)廣泛認(rèn)可,他們?cè)趪?guó)內(nèi)龍頭企業(yè)中(中車集團(tuán)西安永電電氣有限公司、襄樊臺(tái)基半導(dǎo)體有限公司、西安電力電子研究所)擔(dān)任高層領(lǐng)導(dǎo)職位。
西安理工大學(xué)

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