2021西安電子科技大學半導體物理研究生考試大綱

發(fā)布時間：2021-01-23 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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2021西安電子科技大學半導體物理研究生考試大綱正文

研究生入學考試復習大綱
《半導體物理》(801)
一、 總體要求
“半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關基礎理論，了解半導體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體的晶體結(jié)構(gòu)、半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關知識、基本概念及相關理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律的計算等。
“半導體物理”（801）研究生入學考試是所學知識的總結(jié)性考試，考試水平應達到或超過本科專業(yè)相應的課程要求水平。
二、 復習要點
（一）半導體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷
1.復習內(nèi)容
半導體的分類及其特點，半導體的性質(zhì)及導電能力對外界因素的依賴性，半導體化學鍵的性質(zhì)和半導體的晶體結(jié)構(gòu)，金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點及其各向異性。
2.具體要求
固體的分類
半導體性質(zhì)
化學鍵類型和晶體結(jié)構(gòu)的規(guī)律性
半導體晶體結(jié)構(gòu)與半導體鍵的性質(zhì)
晶格、晶向與晶面
半導體中常用的晶向與晶面
金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點及其各向異性
砷化鎵晶體的極性
（二）半導體中的電子狀態(tài)
1.復習內(nèi)容
半導體中電子狀態(tài)與能帶，半導體中的電子運動與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振原理與作用，Si的回旋共振實驗結(jié)果，常用元素半導體和典型化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)。
2.具體要求
半導體中的電子狀態(tài)、表征和能帶
半導體中電子的運動和有效質(zhì)量，有效質(zhì)量的意義
本征半導體的導電機構(gòu)，
空穴的概念，空穴等效概念的作用與意義
回旋共振原理、作用及其Si晶體的回旋共振實驗結(jié)果
Si、Ge和典型化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
（三）半導體中雜志和缺陷能級
1.復習內(nèi)容
半導體中的雜質(zhì)和缺陷，元素半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級，化合物半導體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。
2.具體要求
Si和Ge晶體中的雜質(zhì)和雜質(zhì)能級
雜質(zhì)的補償作用與應用
深能級雜質(zhì)
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質(zhì)能級
等電子雜質(zhì)與等電子陷阱
半導體中的缺陷與位錯能級
（四）半導體中載流子的統(tǒng)計分布
1.復習內(nèi)容
狀態(tài)密度，分布函數(shù)、Fermi能級，載流子統(tǒng)計分布，本征和雜質(zhì)半導體的載流子濃度，補償半導體的載流子濃度，簡并半導體
2.具體要求
狀態(tài)密度的定義與計算
分布函數(shù)
費米能級、費米能級意義
非簡并半導體載流子的統(tǒng)計分布
本征半導體的載流子濃度
雜質(zhì)半導體的載流子濃度
雜質(zhì)補償半導體的載流子濃度
簡并半導體及載流子濃度、簡并化判據(jù)、簡并半導體的特點與雜質(zhì)帶導電
載流子濃度的分析計算方法及其影響載流子濃度的因素
（五）半導體的導電性
1.復習內(nèi)容
載流子的漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，強場效應與熱載流子
2.具體要求
漂移的概念與規(guī)律
載流子漂移運動
遷移率定義及物理意義
載流子散射概念
半導體中的主要散射機制、特點及其影響因素
半導體中其它因素引起的散射
遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關系
載流子在強電場下的效應
高場疇區(qū)與Gunn效應；
（六）非平衡載流子
1.復習內(nèi)容
非平衡狀態(tài)，非平衡載流子的產(chǎn)生與復合，非平衡載流子壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，非平衡載流子載流子的擴散與漂移，愛因斯坦關系，連續(xù)性方程
2.具體要求
非平衡狀態(tài)及其特點
非平衡載流子的注入與復合
準費米能級概念與意義
非平衡載流子的壽命及其影響因素
直接復合與間接復合理論
表面復合
陷阱效應
擴散概念與規(guī)律
半導體中載流子的擴散運動
Einstein關系
半導體中的電流構(gòu)成
連續(xù)性方程的建立及意義
連續(xù)性方程的典型應用

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