姓名：段寶興
性別：男
職稱：教授
學(xué)院：微電子學(xué)院

個人簡介

陜西大荔人，博士，教授。

2000年、2004年在哈爾濱理工大學(xué)材料物理與化學(xué)專業(yè)獲學(xué)士和碩士學(xué)位；2007年獲電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。

2007年至2009年在西安電子科技大學(xué)做博士后研究，主要與楊銀堂教授合作從事寬帶隙半導(dǎo)體SiC功率器件設(shè)計，期間在臺灣國立大學(xué)進行學(xué)術(shù)交流八個月，主要負責應(yīng)變硅應(yīng)變量表征技術(shù)研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大學(xué)作訪問研究，從事寬帶隙半導(dǎo)體GaN功率器件設(shè)計、仿真和工藝研究。

2009年博士后出站以人才引進方式評為副教授，2012年破格評為教授。

國際重要學(xué)術(shù)期刊《IEEE Electron Device Letters》、《Solid-State Electronics》、《Micro & Nano Letters》、《IEEE Transactions on Power Electronics》、《IETE Technical Review》審稿人。

國內(nèi)期刊《半導(dǎo)體學(xué)報》、《微電子期刊》、《北京理工大學(xué)學(xué)報》審稿人。


主要研究方向

主要從事：

（1） 硅基功率器件與集成；

（2） 寬帶隙半導(dǎo)體功率器件；

（3） 45nm后CMOS關(guān)鍵技術(shù)研究。

首次在國際上提出的優(yōu)化功率器件新技術(shù)REBULF已成功應(yīng)用于橫向高壓功率器件設(shè)計；與合作者提出的SOI 高壓器件介質(zhì)場增強ENDILF技術(shù)成功解決了高壓器件縱向耐壓受限問題；最近首次在國際上提出了完全3-D RESURF概念并已被國際同行認可。


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