姓名：湯曉燕　性別：女
職稱：教授 學(xué)院：微電子學(xué)院
研究方向：1、寬禁帶半導(dǎo)體材料 2、SiC大功率器件設(shè)計及應(yīng)用 3、SiC新型器件模型和仿真

湯曉燕，女，教授，碩士生導(dǎo)師，IEEE Member

1997年獲得陜西師范大學(xué)物理專業(yè)學(xué)士學(xué)位

2002年獲得西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)碩士學(xué)位。

2008年獲得西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)博士學(xué)位。

2002年晉職講師，2005年晉升副教授，2012年晉升教授。

從事寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC器件的模擬、仿真和新器件研制方面的研究工作。負(fù)責(zé)國家自然科學(xué)青年基金項目，國家自然科學(xué)面上基金項目，預(yù)研基金項目，高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費項目等，參與多項國家級科研項目，國家重大專項，教育部支撐計劃項目，國家自然科學(xué)基金重點項目等。主要完成了對SiC MOSFET器件設(shè)計和模擬、SiC MOS界面物理研究，SiC大功率器件研制等多項研究工作，在國內(nèi)重要期刊中國物理、半導(dǎo)體學(xué)報等發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇，SCI、EI檢索十余篇。

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