浙江理工大學理學院導師：崔燦 正文

　　姓名：崔燦　
　　性別：男　
　　職稱：副教授　
　　所在學院：理學院　

　　個人簡介：
　　崔燦，副教授、博士、碩士生導師。
　　1997.09~2001.06 浙江大學 物理學專業(yè) 本科
　　2001.09~2006.06 浙江大學硅材料國家重點實驗室材料科學與工程專業(yè) 博士
　　2006.06~2007.09 浙江理工大學 理學院 講師
　　2008.01~2009.09 日本東北大學（Tohoku Univ.）金屬材料研究所/國立物質(zhì)材料研究所（NIMS） COE研究員
　　2010.06~2010.8 日本國立物質(zhì)材料研究所（NIMS） 訪問學者
　　2007.09~至今 浙江理工大學 理學院 副教授

　　主講課程
　　《光電新材料導論》、《表面物理分析技術(shù)》和《光電材料與應(yīng)用》

　　主要研究方向
　　方向1：半導體材料與器件
　　硅材料的制備、雜質(zhì)和缺陷，以及硅材料在太陽電池和集成電路中的應(yīng)用；納米半導體材料的制備和光伏、光催化性質(zhì)
　　方向2：準晶材料制備和物性
　　單準晶材料的制備，物性和表面性質(zhì)研究。

　　科研項目
　　1．國家自然科學基金項目，Ag-In-Yb正二十面體準晶單晶的表面結(jié)構(gòu)和異質(zhì)薄膜生長，11074220，42萬，2011.01~2013.12，排名1
　　2．國家自然科學基金項目，陣列化半導體量子點的制備及其在太陽電池中的應(yīng)用60806045，20萬，2009.01~2011.12，排名1
　　3．浙江省自然科學基金，大塊Ag-In-Yb準晶單晶及其近似相單晶的制備和物理性質(zhì)研究，Y4100310，8萬，2010.06~2013.06，排名1
　　4．國家自然科學基金項目，成分連續(xù)變化薄膜技術(shù)與相圖快速測定研究 50672088，30萬，2007.01~2009.12，排名2
　　5．國家自然科學基金項目，微鍺摻雜直拉硅單晶氧和微缺陷的研究 50572094，27萬，2006.01~2008.12，排名6
　　6．浙江理工大學科研啟動項目，中子輻照對直拉硅單晶中氧沉淀及內(nèi)吸雜的影響，2萬，2007.1-2008.12，排名1
　　7．橫向合作項目，低應(yīng)力單晶硅及硅片的研究和開發(fā)，40萬，2006.12-2007.4，排名3

　　代表性論文
　　1．Can Cui, and An Pang Tsai, Growth of large single-grain quasicrystals in the Ag-In-Yb system by Bridgman method, Journal of Crystal Growth, 312 (2010) 131-135.
　　2．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen precipitation in neutron-irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon crystal, J. Appl. Phys., 104 (2008) 123523.
　　3．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Ming Li, Oxygen precipitation in Czochralski silicon: Effect of ramped anneal from 300 to 750 C, J. Appl. Phys., 103 (2008) 064911.
　　4．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen diffusion in Czochralski silicon at 450-650 C, Phys. Stat. Sol. (a), 205 (2008) 1148-1151.
　　5．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on oxygen precipitates profiles in Czochralski silicon wafer, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 4903-4907.
　　6．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Effect of annealing atmosphere on oxygen precipitation and formation of denuded zone in Czochralski silicon wafer, Phys. Stat. Sol. (a), 203 (2006) 2370-2375.
　　7．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ming Li, and Duanlin Que, Effect of light germanium-doping on thermal gonors in Czochralski silicon wafers, Materials Science in Semiconductor Proceeding, 9 (2006) 110-113. 　　
　　8．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on denuded zone formed by rapid thermal process in Czochralski silicon wafer, Physica B, 376-377 (2006) 216-219.
　　9．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Liming Fu, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation within denuded zone founded by rapid thermal processing in Czochralski silicon wafers, Chinese Physics Letter, 9 (2005) 2407-2410
　　10．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation in neutron-irradiated Czochralski silicon annealed at elevated temperature, Phys.Stat.Sol. (a), 202(13) (2005) 2442-2447
　　11．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen on denuded zone in Czochralski silicon wafer, Semiconductor Science and Technology, 19 (2004) 548-551
　　12．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on the minority carrier lifetime in Czochralski silicon, Microelectronic Engineering, 66 (2003) 373-378。

　　*如果發(fā)現(xiàn)導師信息存在錯誤或者偏差，歡迎隨時與我們聯(lián)系，以便進行更新完善。

添加浙江理工大學學姐微信，或微信搜索公眾號“考研派小站”，關(guān)注[考研派小站]微信公眾號，在考研派小站微信號輸入[浙江理工大學考研分數(shù)線、浙江理工大學報錄比、浙江理工大學考研群、浙江理工大學學姐微信、浙江理工大學考研真題、浙江理工大學專業(yè)目錄、浙江理工大學排名、浙江理工大學保研、浙江理工大學公眾號、浙江理工大學研究生招生）]即可在手機上查看相對應(yīng)浙江理工大學考研信息或資源。

浙江理工大學