北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩導(dǎo)－胡冬青 正文

　　胡冬青，女，副研究員，1988年蘭州大學(xué)理論物理專(zhuān)業(yè)畢業(yè)，2002年蘭州大學(xué)凝聚態(tài)物理專(zhuān)業(yè)碩士畢業(yè)，2005年蘭 州大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)博士畢業(yè)。1988年本科畢業(yè)后在蘭州鐵道學(xué)院（現(xiàn)蘭州交通大學(xué)）從事大學(xué)物理教學(xué)與實(shí)驗(yàn)工作。1999—2005年在蘭州大學(xué)從事功率半導(dǎo)體器件——靜電感應(yīng)器件（SIT、BSIT、SITH、SIPT）的研究，2005年到現(xiàn)在，在北京工業(yè)大學(xué)功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路研究室從事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半導(dǎo)體器件研究，期間2007年-2008年應(yīng)邀到香港科技大學(xué)做訪(fǎng)學(xué)，進(jìn)行內(nèi)透明集電區(qū)IGBT的合作研究。

　　目前主要研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體器件與功率集成電路，近幾年參加過(guò)多項(xiàng)國(guó)家、省部級(jí)、市級(jí)項(xiàng)目研究，發(fā)表學(xué)術(shù)論文20余篇，其中半數(shù)以上被SCI、EI、ISTP檢索。

　　目前在研項(xiàng)目：

　　國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目：內(nèi)透明集電區(qū)IGBT——一類(lèi)新結(jié)構(gòu)IGBT

　　與企業(yè)合作橫向項(xiàng)目：智能功率模塊研究；功率快恢復(fù)二極管FRD研制。

　　目前主講課程：《專(zhuān)業(yè)概論》（面向本科生），《功率集成電路》（面向研究生）

　　Email：

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