2022年山東建筑大學半導體物理碩士研究生考研大綱及參考書目

發(fā)布時間:2021-10-11 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
2022年山東建筑大學半導體物理碩士研究生考研大綱及參考書目

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2022年山東建筑大學半導體物理碩士研究生考研大綱及參考書目 正文

本大綱適用于山東建筑大學凝聚態(tài)物理的碩士研究生入學考試。半導體物理學是現(xiàn)代微電子學與固體電子學的重要基礎理論課程,它的主要內(nèi)容包括半導體的晶格結構和電子狀態(tài);雜質(zhì)和缺陷能級;載流子的統(tǒng)計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律;半導體的表面和界面─包括p-n結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、異質(zhì)結;半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導體部分。要求考生對其基本概念有較深入的了解,能夠系統(tǒng)地掌握書中基本定律的推導、證明和應用,并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。
(一)半導體的晶格結構和電子狀態(tài)
1.了解半導體的晶格結構和結合性質(zhì)的基本概念。
2.理解半導體中的電子狀態(tài)和能帶的基本概念。
3.掌握半導體中的電子運動規(guī)律,理解有效質(zhì)量的意義。
4.理解本征半導體的導電機構,理解空穴的概念。
5.熟練掌握空間等能面和回旋共振的相關公式推導、并能靈活運用。
6.理解硅和鍺的能帶結構,掌握有效質(zhì)量的計算方法。
7.了解III-V族化合物半導體的能帶結構。
8.了解II-VI族化合物半導體的能帶結構。
(二)半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
1.理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級、受主雜質(zhì)、受主能級的概念。
2.簡單計算淺能級雜質(zhì)電離能。
3.了解雜質(zhì)的補償作用、深能級雜質(zhì)的概念。
4.了解III-V族化合物中雜質(zhì)能級的概念。
5.理解點缺陷、位錯的概念。
(三)半導體中載流子的統(tǒng)計分布
1.深入理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。
2.深入理解并熟練掌握費米能級和載流子的統(tǒng)計分布。
3.深入理解并熟練掌握本征半導體的載流子濃度的概念和表示方法。
4.深入理解并熟練掌握雜質(zhì)半導體的載流子濃度的概念和表示方法。
5.理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計分布。
6.深入理解并熟練掌握簡并半導體的概念,簡并半導體的載流子濃度的表示方法,簡并化條件。
(四)半導體的導電性
1.深入理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運動,包括公式。
2.深入理解載流子的散射的概念。
3.深入理解并熟練掌握遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系,包括公式。
4.深入理解并熟練掌握電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關系,包括公式。
5.深入理解電導率的統(tǒng)計理論。并熟練掌握玻爾茲曼方程。
6.了解強電場下的效應和熱載流子的概念。
(五)非平衡載流子
1.深入理解非平衡載流子的注入與復合的概念,包括表達式。
2.深入理解非平衡載流子的壽命的概念,包括表達式、能帶示意圖。
3.深入理解準費米能級的概念,包括表達式、能帶示意圖。
4.了解復合理論,理解直接復合、間接復合、表面復合、俄歇復合的概念,包括表達式、能帶示意圖。
5.了解陷阱效應,包括表達式、能帶示意圖。
6.深入理解并熟練掌握載流子的擴散運動,包括公式。
7.深入理解并熟練掌握載流子的漂移運動,愛因斯坦關系式,并能靈活運用。
8.深入理解并熟練掌握連續(xù)性方程式,并能靈活運用。
(六)p-n結
1.深入理解并熟練掌握p-n結及其能帶圖,包括公式、能帶示意圖。
2.深入理解并熟練掌握p-n結電流電壓特性,包括公式、能帶示意圖。
3.深入理解p-n結電容的概念,熟練掌握p-n結電容表達式、能帶示意圖。
4.深入理解雪崩擊穿、隧道擊穿熱擊穿的概念。
5.了解p-n結隧道效應。
(七)金屬和半導體的接觸
1.了解金屬半導體接觸及其能帶圖。理解功函數(shù)、接觸電勢差的概念,包括公式、能帶示意圖。了解表面態(tài)對接觸勢壘的影響。
2.了解金屬半導體接觸整流理論。深入理解并熟練掌握擴散理論、熱電子發(fā)射理論、鏡像力和隧道效應的影響、肖特基勢壘二極管的概念。
3.了解少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸的概念。
(八)半導體表面與MIS結構
1.深入理解表面態(tài)的概念。
2.深入理解表面電場效應,空間電荷層及表面勢的概念,包括能帶示意圖。深入理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場、電勢和電容的關系,包括公式、示意圖。并能靈活運用。
3.深入理解并熟練掌握MIS結構的電容-電壓特性,包括公式、示意圖。并能靈活運用。
4.深入理解并熟練掌握硅-二氧化硅系數(shù)的性質(zhì),包括公式、示意圖。并能靈活運用。
5.理解表面電導及遷移率的概念。
6.了解表面電場對p-n結特性的影響。
(九)異質(zhì)結
1.理解異質(zhì)結及其能帶圖,并能畫出示意圖。
2.了解異質(zhì)結的電流輸運機構。
3.了解異質(zhì)結在器件中的應用。
4.了解半導體超晶格的概念。
(十)半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象
1.了解半導體的光學常數(shù),理解折射率、吸收系數(shù)、反射系數(shù)、透射系數(shù)的概念;了解半導體的光吸收現(xiàn)象,理解本征吸收、直接躍遷、間接躍遷的概念;了解半導體的光電導的概念;理解并掌握半導體的光生伏特效應,光電池的電流電壓特性的表達式;了解半導體發(fā)光現(xiàn)象,理解輻射躍遷、發(fā)光效率、電致發(fā)光的概念;了解半導體激光的基本原理和物理過程,理解自發(fā)輻射、受激輻射、分布反轉的概念。
2.了解熱電效應的一般描述,半導體的溫差電動勢率,半導體的珀耳帖效應,半導體的湯姆孫效應,半導體的熱導率,半導體熱電效應的應用。
3.理解并掌握霍耳效應的概念和表示方法。理解磁阻效應。了解磁光效應,量子化霍耳效應,熱磁效應,光磁電效應,壓阻效應。了解聲波和載流子的相互作用。

主要參考書目:
[1] 劉恩科,朱秉升,羅晉生.《半導體物理學》,電子工業(yè)出版社,2008。
[2] 季振國,《半導體物理》,浙江大學出版社,2005。
山東建筑大學

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