四川師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院導(dǎo)師：吳紹全 正文

　　
　　姓名：吳紹全　性別：男
　　職稱：教授　學(xué)院：物理與電子工程學(xué)院

　　吳紹全，男，漢族，博士，現(xiàn)任四川師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院教授，碩士研究生導(dǎo)師。
　　1982年在成都理工大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，1987年在四川師范大學(xué)獲碩士學(xué)位，然后在四川師范大學(xué)從事理論物理教學(xué)和磁性材料物理性質(zhì)的研究工作2004年6月在西南交通大學(xué)獲博士學(xué)位，博士論文題目是《介觀Kondo效應(yīng)》，指導(dǎo)老師是王順金教授（現(xiàn)為四川大學(xué)教授）。
　　
　　學(xué)術(shù)經(jīng)歷
　　1999年7月-2000年6月年在中國(guó)科學(xué)院物理研究所作進(jìn)修學(xué)者，從事磁性多層膜和磁性隧道結(jié)的研究工作，指導(dǎo)老師是蒲富恪院士（已故）和李伯藏研究員。
　　
　　科研工作簡(jiǎn)介
　　最近五年主要開展了對(duì)介觀材料中的Kondo效應(yīng)和自旋電子學(xué)的研究工作。
　　處于低溫下的稀磁合金呈現(xiàn)出許多反常物理性質(zhì)，如電阻反常、磁化率反常和比熱反常，這些反常性質(zhì)在物理上統(tǒng)稱為Kondo效應(yīng)。電阻反常是稀磁合金的電阻隨溫度下降而減小到一定值后，將隨溫度下降而增大；磁化率反常是稀磁合金中的雜質(zhì)磁化率在低溫下隨溫度的變化不滿足居里定理；而比熱反常就是低溫下稀磁合金的比熱不滿足線性溫度規(guī)律。稀磁合金的這些反常物理性質(zhì)產(chǎn)生于低溫下的局域自旋磁矩通過交換相互與傳導(dǎo)電子形成了一個(gè)強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子系統(tǒng)，這個(gè)強(qiáng)關(guān)聯(lián)系統(tǒng)是凝聚態(tài)物理中最為著名并研究得最為全面的一個(gè)系統(tǒng)。這是因?yàn)檠芯窟@個(gè)系統(tǒng)不僅在于認(rèn)識(shí)和了解產(chǎn)生Kondo效應(yīng)內(nèi)在的物理機(jī)理，更為重要的是由于Kondo模型可以精確求解，因此它是檢驗(yàn)求解其它強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子系統(tǒng)的數(shù)學(xué)方法是否可靠的一個(gè)理想模型。正因?yàn)槿绱?，Kondo效應(yīng)在凝聚態(tài)物理中形成了一個(gè)獨(dú)立研究的分支領(lǐng)域。
　　
　　隨著納米技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)在已經(jīng)能夠從實(shí)驗(yàn)上研究具有納米尺度材料的熱力學(xué)和輸運(yùn)性質(zhì)，在此取得重大進(jìn)展的一個(gè)方面就是在介觀材料中發(fā)現(xiàn)了Kondo效應(yīng)。特別是在在量子點(diǎn)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了在人可控制的條件下的Kondo共振，使得對(duì)Kondo效應(yīng)理論和實(shí)驗(yàn)的研究都進(jìn)入到了一個(gè)新的階段，這極大地激發(fā)了人們重新認(rèn)識(shí)和研究Kondo效應(yīng)的興趣，并研討這個(gè)效應(yīng)在納米技術(shù)中的可能應(yīng)用前景。量子點(diǎn)是固體材料中的一個(gè)亞微觀結(jié)構(gòu)，其電子能級(jí)和電荷都是量子化的。當(dāng)量子點(diǎn)含有奇數(shù)個(gè)電子時(shí)，可以起著一個(gè)磁雜質(zhì)的作用，具有一個(gè)局域自旋磁矩，通過交換相互能夠與傳導(dǎo)電子形成了一個(gè)Kondo系統(tǒng)。與稀磁合金中的Kondo效應(yīng)導(dǎo)致低溫下電阻隨溫度的下降而增加不同的是，量子點(diǎn)系統(tǒng)中的介觀Kondo效應(yīng)導(dǎo)致低溫下電導(dǎo)隨溫度的下降而增加。這主要是兩個(gè)系統(tǒng)具有完全不同的幾何所致。在稀磁合金中，電子可以繞開磁性雜質(zhì)而通過電路；而在量子點(diǎn)系統(tǒng)中，電子必須通過量子點(diǎn)后才能通過電路。其Kondo共振為電子通過量子點(diǎn)提供了一個(gè)新的通道，因而導(dǎo)致電導(dǎo)的增加。因此、在量子點(diǎn)系統(tǒng)中能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體晶體管的各種物理性能，在納米器件的開發(fā)中，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，是當(dāng)前鈉米科技中研究的前沿課題。誰在這個(gè)領(lǐng)域取得優(yōu)勢(shì)地位，誰就能在納米技術(shù)中占有先機(jī)。
　　
　　在介觀Kondo效應(yīng)方面，我們主要是從理論上研究量子點(diǎn)晶體管的物理與輸運(yùn)性質(zhì), 尤其是把量子點(diǎn)放入一個(gè)介觀環(huán)中構(gòu)成一種特別的系統(tǒng), 研究量子點(diǎn)對(duì)介觀環(huán)中持續(xù)電流的影響, 探討這樣一個(gè)系統(tǒng)作為量子點(diǎn)晶體管的可能性以及作為納米器件在納米技術(shù)中可能的應(yīng)用前景，含有量子點(diǎn)的介觀環(huán)在最近幾年也一直是物理學(xué)中研究的熱點(diǎn)。我們研究小組的研究結(jié)果表明：在嵌入單量子點(diǎn)介觀環(huán)系統(tǒng)中，系統(tǒng)的尺寸效應(yīng)和近藤屏蔽效應(yīng)的共存導(dǎo)致了系統(tǒng)的豐富物理性質(zhì)，可以通過測(cè)量環(huán)中的持續(xù)電流和雜質(zhì)磁率達(dá)到探測(cè)近藤屏蔽云的目的。在嵌入雙量子點(diǎn)介觀環(huán)系統(tǒng)中，兩個(gè)量子點(diǎn)可以相干偶合形成一個(gè)人造分子，并導(dǎo)致環(huán)中的持續(xù)電流得到顯著增強(qiáng)。這些研究結(jié)果為開發(fā)這些系統(tǒng)為納米器件提供了可靠的數(shù)據(jù)，該系統(tǒng)作為量子點(diǎn)晶體管在未來的納米科技中有重要的應(yīng)用價(jià)值。

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